為了進一步提升我國半導體發展水平,中國副總理劉鶴將主持第三代半導體發展的推進工作,并負責制定相關的政策。5月14日,劉鶴主持召開了國家科技體制改革和創新體系建設領導小組第十八次會議,討論了面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術。
第三代半導體主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。從GaAs、GaN和SiC市場競爭格局來看,目前化合物半導體產業鏈各環節以歐美、日韓和中國臺灣企業為主,中國大陸企業在技術實力、產能規模和市場份額方面與領先企業均具有不小差距,市場話語權較弱。
以GaN為例,GaN器件產業鏈包括上游襯底及外延片、中游器件設計與制造和下游產品應用等環節,目前行業模式以IDM為主,但設計與制造環節已開始出現分工。其中,住友電工在GaN襯底領域一家獨大,市場份額超過90%,外延片龍頭包括IQE、COMAT等;GaN制造環節代表性企業包括穩懋、富士通和臺積電,大陸方面以三安光電為代表。
國產替代和半導體技術發展進入后摩爾時代是未來十年半導體 行業投資的兩條主線。在5G基建、5G終端射頻和新能源車等多重推動,以及化合物半導體的國產替代趨勢下,未來成長空間廣闊,相關廠商有望迎來較好的發展機遇。
近期發布的《第三代半導體產業發展報告2020》顯示,2020年我國第三代半導體產業總產值超過7098.6億元。受益于國內疫情防控得力,經濟全面回暖,政策市場雙重利好,以及國際貿易摩擦帶來的替代機遇,電力電子和射頻電子維持增長趨勢,但半導體照明受國內外環境影響,整體略有下滑。
我國擁有第三代半導體材料最大的應用市場。受益于新能源汽車、5G、消費電子領域需求強勁,未來幾年,國內SiC和GaN功率半導體市場將迎來高速增長。在政策和市場的雙重驅動下,國內第三代半導體電力電子和射頻方向行情呈明顯上升態勢。
國內主流企業積極擴產布局,產業進入擴張期。經過幾年發展,第三代半導體器件已經迅速進入了新能源汽車、光伏逆變、5G基站、PD快充等應用領域,市場迅猛增長,行業競爭日趨激烈。
為了迎合市場需求,爭奪未來幾年的關鍵競爭位置,國內主流企業在產業、產品和市場等多方面加強布局。其中尤以產能擴充為主要特征,天科合達、同光晶體、納維科技、泰科天潤、中電科55所、三安光電、世紀金光、基本半導體、英諾賽科等紛紛擴產,預示著國內第三代半導體產業開始進入擴張期。傳統半導體企業也依托資金、技術、渠道以及商業模式的優勢,積極布局第三代半導體,謀求更多的利潤增長點,代表企業有華潤微、聞泰科技、斯達半導體、比亞迪、賽微電子、露笑科技、新潔能等。
與此同時,具有自主核心技術的海外優秀團隊也紛紛回國創業,在第三代半導體行業表現突出,如我司已投企業基本半導體,公司由清華大學、劍橋大學等高校海歸博士創立,專注于碳化硅功率器件的研發與產業化,覆蓋材料制造、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等碳化硅產業鏈環節,成為了行業佼佼者。在6月11日,由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院,江蘇省工業和信息化廳等單位聯合主辦的世界半導體大會同期舉行的中國IC獨角獸論壇上,基本半導體憑借在技術研發、市場開拓等方面的優異表現,獲評2020年度第四屆中國IC獨角獸?;景雽w將繼續堅持自主創新,不斷攻克關鍵核心技術,有望作為中國第三代半導體行業領軍企業,實現新突破。
資料來源:微信公眾號“摩爾芯聞”、“基本半導體”